MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXFN64N50P, VDSS 500 V, ID 61 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 unidad)*

33,05 €

(exc. IVA)

39,99 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 8 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
  • Disponible(s) 37 unidad(es) más para enviar a partir del 09 de enero de 2026
  • Disponible(s) 10 unidad(es) más para enviar a partir del 07 de octubre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
1 - 433,05 €
5 +28,51 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
194-568
Número de artículo Distrelec:
302-53-377
Nº ref. fabric.:
IXFN64N50P
Fabricante:
IXYS
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

IXYS

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

61A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

500V

Encapsulado

SOT-227

Tipo de montaje

Panel

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

85mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

700W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

150nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

9.6mm

Anchura

25.42 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

38.23mm

Distrelec Product Id

30253377

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™


MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS

Transistores MOSFET, IXYS


Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS

Enlaces relacionados