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MOSFET, N-Canal IXYS IXFN64N50P, VDSS 500 V, ID 61 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines

Name: MOSFET, N-Canal IXYS IXFN64N50P, VDSS 500 V, ID 61 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines
Brand: IXYS
SKU: 194-568
Availability: InStock

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	IXYS
	Tipo de canal	N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	61A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	500V
	Encapsulado	SOT-227
	Serie	HiperFET, Polar
	Tipo de montaje	Panel
	Número de pines	4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	85mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	30V
	Tensión directa Vf	1.5V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	150nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	700W
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	38.23mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	9.6mm
	Anchura	25.42mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca IXYS
	Tipo de canal N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 61A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V
	Encapsulado SOT-227
	Serie HiperFET, Polar
	Tipo de montaje Panel
	Número de pines 4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 85mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V
	Tensión directa Vf 1.5V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 150nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 700W
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 38.23mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 9.6mm
	Anchura 25.42mm
	Estándar de automoción No

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