MOSFET IXYS IXFN64N50P, VDSS 500 V, ID 61 A, SOT-227 de 4 pines, , config. Simple

Código RS:: 194-568
Nº ref. fabric.:: IXFN64N50P
Fabricante:: IXYS

MOSFET IXYS IXFN64N50P, VDSS 500 V, ID 61 A, SOT-227 de 4 pines, , config. Simple

8 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio Unidad

27,24 €

(exc. IVA)

32,96 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
1 - 4	27,24 €
5 +	23,50 €

Código RS:: 194-568
Nº ref. fabric.:: IXFN64N50P
Fabricante:: IXYS

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™

MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS

Transistores MOSFET, IXYS

Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	61 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	500 V
Serie	HiperFET, Polar
Tipo de Encapsulado	SOT-227
Tipo de Montaje	Montaje roscado
Conteo de Pines	4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	85 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	5.5V
Disipación de Potencia Máxima	700000 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Longitud	38.23mm
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	25.42mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Material del transistor	Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs	150 nC a 10 V
Altura	9.6mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C