MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL125N10F8AG, VDSS 100 V, ID 125 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines
- Código RS:
- 214-996
- Nº ref. fabric.:
- STL125N10F8AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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| 1 - 9 | 2,64 € |
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- Código RS:
- 214-996
- Nº ref. fabric.:
- STL125N10F8AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 125A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | PowerFLAT | |
| Serie | STL125N10F8AG | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 56nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, AEC-Q101 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 125A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado PowerFLAT | ||
Serie STL125N10F8AG | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 56nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, AEC-Q101 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 100 V de STMicroelectronics está diseñado en tecnología STripFET F8 con una estructura de puerta de trinchera mejorada. Garantiza una cifra de mérito de vanguardia para una resistencia de estado encendido muy baja al tiempo que reduce las capacidades internas y la carga de puerta para una conmutación más rápida y eficiente.
Carga de compuerta baja Qg
Encapsulado de flanco húmedo
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