MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL125N10F8AG, VDSS 100 V, ID 125 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines

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Código RS:
214-996
Nº ref. fabric.:
STL125N10F8AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

125A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

PowerFLAT

Serie

STL125N10F8AG

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

56nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

150W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS, AEC-Q101

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 100 V de STMicroelectronics está diseñado en tecnología STripFET F8 con una estructura de puerta de trinchera mejorada. Garantiza una cifra de mérito de vanguardia para una resistencia de estado encendido muy baja al tiempo que reduce las capacidades internas y la carga de puerta para una conmutación más rápida y eficiente.

Carga de compuerta baja Qg

Encapsulado de flanco húmedo

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