MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL120N10F8, VDSS 100 V, ID 125 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
261-5532
Nº ref. fabric.:
STL120N10F8
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

125A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

PowerFLAT

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

56nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de potencia STripFET F8 de modo de mejora de canal N de nivel estándar de 100 V, 4,6 mOhm máx., 125 A en un encapsulado PowerFLAT 5x6


Este MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics utiliza la tecnología STripFET F8 con una estructura de puerta de trinchera mejorada.;Garantiza una resistencia en estado activo muy baja al tiempo que reduce las capacitaciones internas y la carga de puerta para una conmutación más rápida y eficiente.

Principales características:


  • Grado MSL1
    • ;
  • Temperatura de funcionamiento de 175 °C
    • ;
  • 100 % a prueba de avalancha

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