MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 100 A, Mejora de 4 pines
- Código RS:
- 215-070
- Nº ref. fabric.:
- SCT020W120G3-4AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 215-070
- Nº ref. fabric.:
- SCT020W120G3-4AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | SCT | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 18.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 541W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 121nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 200°C | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie SCT | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 18.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 541W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 121nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 200°C | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la avanzada e innovadora tecnología SiC MOSFET de 3ª generación de ST. El dispositivo dispone de un RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas combinado con bajas capacitancias y operaciones de conmutación muy altas, que mejoran el rendimiento de la aplicación en frecuencia, eficiencia energética, tamaño del sistema y reducción de peso.
Carga de puerta y capacitancia de entrada extremadamente bajas
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto