MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT040W120G3-4AG, VDSS 1200 V, ID 40 A, Mejora de 4 pines
- Código RS:
- 482-974
- Nº ref. fabric.:
- SCT040W120G3-4AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 482-974
- Nº ref. fabric.:
- SCT040W120G3-4AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Potencia de salida | 312W | |
| Serie | SCT | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 200°C | |
| Altura | 5mm | |
| Longitud | 21mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Potencia de salida 312W | ||
Serie SCT | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 200°C | ||
Altura 5mm | ||
Longitud 21mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El dispositivo de alimentación MOSFET en carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la avanzada e innovadora tecnología SiC MOSFET de 3ª generación de ST. El dispositivo dispone de un RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas combinado con bajas capacitancias y operaciones de conmutación muy altas, que mejoran el rendimiento de la aplicación en frecuencia, eficiencia energética, tamaño del sistema y reducción de peso.
con cualificación AEC-Q101
RDS(on) muy baja en todo el rango de temperaturas
Alto rendimiento de conmutación
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Pin de detección de fuente para mayor eficacia
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