MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 60 A, Mejora de 4 pines
- Código RS:
- 215-229
- Nº ref. fabric.:
- SCT027W65G3-4AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Subtotal (1 unidad)*
21,61 €
(exc. IVA)
26,15 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 30 unidad(es) más para enviar a partir del 19 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 + | 21,61 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 215-229
- Nº ref. fabric.:
- SCT027W65G3-4AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 60A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | SCT | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 29mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -10 to 22 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 313W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 51nC | |
| Tensión directa Vf | 3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 200°C | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 60A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie SCT | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 29mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -10 to 22 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 313W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 51nC | ||
Tensión directa Vf 3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 200°C | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la avanzada e innovadora tecnología SiC MOSFET de 3ª generación de ST. El dispositivo dispone de un RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas combinado con bajas capacitancias y operaciones de conmutación muy altas, que mejoran el rendimiento de la aplicación en frecuencia, eficiencia energética, tamaño del sistema y reducción de peso.
Alta velocidad de conmutación
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto