MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 0.9 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 216-350P
- Nº ref. fabric.:
- ZXMS6008DN8Q-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal 10 unidades (suministrado en una tira continua)*
4,90 €
(exc. IVA)
5,90 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 2480 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 10 - 99 | 0,49 € |
| 100 - 499 | 0,45 € |
| 500 - 999 | 0,42 € |
| 1000 + | 0,35 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 216-350P
- Nº ref. fabric.:
- ZXMS6008DN8Q-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 0.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | ZXMS6008N8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 800mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.13W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 4.9mm | |
| Altura | 1.45mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, Antimony-Free | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 0.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie ZXMS6008N8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 800mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.13W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 4.9mm | ||
Altura 1.45mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS, Antimony-Free | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de DiodesZetex es un MOSFET IntelliFET dual autoprotegido de lado bajo con entrada de nivel lógico. Integra funciones de sobretemperatura, sobrecorriente, sobretensión y nivel lógico protegido contra ESD. Es ideal como interruptor de uso general accionado desde microcontroladores de 3,3 V o 5 V en entornos difíciles en los que los MOSFET estándar no son lo suficientemente resistentes.
Encapsulado compacto de alta disipación de potencia
Baja corriente de entrada
Protección contra cortocircuitos con reinicio automático
Protección contra sobretensión
Apagado térmico con reinicio automático
Protección contra sobreintensidad
Protección ESD de entrada
Corriente continua nominal elevada