MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN1R8-30MLHX, VDSS 30 V, ID 150 A, Mejora, LFPAK de 5 pines

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Código RS:
219-266
Nº ref. fabric.:
PSMN1R8-30MLHX
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

150A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

LFPAK

Serie

PSM

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

106W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

28nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH
El MOSFET de canal N de Nexperia con tecnología NextPowerS3 ofrece bajo RDS, baja fuga IDSS y alta eficiencia, con una corriente nominal de 150 A. Su resistencia de puerta baja optimizada es compatible con aplicaciones de conmutación rápida. Las aplicaciones clave incluyen reguladores de bajada síncronos, rectificadores síncronos en conversiones ac a dc y dc a dc, control de motor BLDC, eFuse y protección de batería, así como funcionalidades de OR-ing y hot-swap.

Conmutación rápida

Picos y sonidos bajos para diseños de EMI baja

Pinza de cobre de alta fiabilidad pegada

Calificación a 175 °C

Cables expuestos para una óptima inspección visual de soldadura

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