MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN1R8-30MLHX, VDSS 30 V, ID 150 A, Mejora, LFPAK de 5 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 tira de 1 unidad)*

1,11 €

(exc. IVA)

1,34 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 1500 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Tira(s)
Por Tira
1 - 91,11 €
10 - 991,00 €
100 - 4990,92 €
500 - 9990,85 €
1000 +0,77 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
219-268
Nº ref. fabric.:
PSMN1R8-30MLHX
Fabricante:
Nexperia
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

150A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

PSM

Encapsulado

LFPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

28nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

106W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH
El MOSFET de canal N de Nexperia con tecnología NextPowerS3 ofrece bajo RDS, baja fuga IDSS y alta eficiencia, con una corriente nominal de 150 A. Su resistencia de puerta baja optimizada es compatible con aplicaciones de conmutación rápida. Las aplicaciones clave incluyen reguladores de bajada síncronos, rectificadores síncronos en conversiones ac a dc y dc a dc, control de motor BLDC, eFuse y protección de batería, así como funcionalidades de OR-ing y hot-swap.

Conmutación rápida

Picos y sonidos bajos para diseños de EMI baja

Pinza de cobre de alta fiabilidad pegada

Calificación a 175 °C

Cables expuestos para una óptima inspección visual de soldadura

Enlaces relacionados