MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMNR60-25YLHX, VDSS 25 V, ID 300 A, Mejora, LFPAK de 5 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
219-299
Nº ref. fabric.:
PSMNR60-25YLHX
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

300A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

25V

Serie

PSM

Encapsulado

LFPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

4.5 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

268W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

43nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH
El MOSFET de canal N de Nexperia está optimizado para RDSon bajo, baja fuga IDSS incluso a altas temperaturas, alta eficiencia y manejo de alta corriente. Es ideal para interruptores de carga dc y aplicaciones de intercambio en caliente. Los usos principales incluyen intercambio en caliente, fusibles electrónicos, alimentación OR-ing, conmutación dc/carga, protección de batería y control de motor cepillado/BLDC.

Pinza de cobre para baja inductancia parásita y resistencia

Encapsulado LFPAK de alta fiabilidad

Calificación a 175 °C

Capaz de soldadura por onda

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