MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN4R2-80YSEX, VDSS 80 V, ID 170 A, Mejora, LFPAK de 5 pines

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Código RS:
219-334
Nº ref. fabric.:
PSMN4R2-80YSEX
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

170A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

LFPAK

Serie

PSM

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.2mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

10 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

110nC

Disipación de potencia máxima Pd

294W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH
El MOSFET de canal N de Nexperia dispone de un RDS(on) muy bajo y un rendimiento de área de funcionamiento segura mejorado en un encapsulado LFPAK88 de pinza de cobre de alta fiabilidad. Está optimizado para controladores de intercambio en caliente, capaz de resistir corrientes de entrada altas y minimizar las pérdidas de I2R para mejorar la eficiencia. Las aplicaciones incluyen cambio en caliente, conmutación de carga, arranque suave y fusible electrónico.

SOA para un funcionamiento de modo lineal superior

Encapsulado LLFPAK88 para aplicaciones que requieren el máximo rendimiento

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