MOSFET Nexperia, Tipo N-Canal PSMN4R2-40VSHX, VDSS 40 V, ID 42 A, LFPAK56D de 8 pines, 2

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
243-4875
Nº ref. fabric.:
PSMN4R2-40VSHX
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

42A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

PSMN4R2

Encapsulado

LFPAK56D

Número de pines

8

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

26nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

46W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N de nivel estándar doble de Nexperia en un encapsulado LFPAK56D (configuración de medio puente) con tecnología Next power S3. Se realiza una conexión interna entre la fuente (S1) del FET de lado alto al drenaje (D2) del FET de lado bajo, de modo que el dispositivo es idóneo para usar como un interruptor de medio puente en aplicaciones de accionamiento de motor con espacio limitado y PWM de alto rendimiento.

Reducción de la complejidad del diseño de PCB

Retracción del módulo gracias a la reducción de componentes

Inductancia parasitaria inferior para una mayor eficiencia

Baja pérdida de potencia, alta densidad de potencia

Rendimiento de avalancha superior

Especificado para avalancha repetitiva

El encapsulado de pinza de cobre LFPAK proporciona alta robustez y fiabilidad

Herramientas eléctricas portátiles, aparatos portátiles y aplicaciones con espacio limitado

Accionamiento por motor CC sin escobillas o con escobillas CC

Para sistemas CC a CC

Iluminación LED

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