MOSFET Nexperia, Tipo N-Canal BUK9V13-40HX, VDSS 40 V, ID 42 A, LFPAK56D de 8 pines, 2
- Código RS:
- 240-1822
- Nº ref. fabric.:
- BUK9V13-40HX
- Fabricante:
- Nexperia
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,214 € | 6,07 € |
| 50 - 95 | 1,096 € | 5,48 € |
| 100 - 245 | 0,852 € | 4,26 € |
| 250 - 495 | 0,838 € | 4,19 € |
| 500 + | 0,704 € | 3,52 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 240-1822
- Nº ref. fabric.:
- BUK9V13-40HX
- Fabricante:
- Nexperia
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 42A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | LFPAK56D | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 13.6mΩ | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 46W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13.9nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 42A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado LFPAK56D | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13.6mΩ | ||
Disipación de potencia máxima Pd 46W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13.9nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de canal N de nivel lógico doble Nexperia en un encapsulado LFPAK56D (configuración de medio puente) usando tecnología Trench 9 MOS. Este producto se ha diseñado y calificado según AEC-Q101.
Encapsulado LFPAK56D con la configuración de medio puente activa
Complejidad de diseño de PCB reducida
Contracción de PCB gracias a la reducción del tamaño de los componentes para accionamiento de motor de 3 fases
Nivel de sistema RTH(j-amb) mejorado gracias al diseño de encapsulado optimizado
Inductancia parásita inferior para admitir mayor eficiencia
Tamaño compatible con encapsulado doble LFPAK56D
Tecnología de silicio Trench 9 de grado AEC-Q101 de Advanced
Bajas pérdidas de potencia, alta densidad de potencia
Rendimiento de avalancha superior
Índice de avalancha repetitiva
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