MOSFET Nexperia, Tipo N-Canal, VDSS 40 V, ID 18.2 A, LFPAK56D de 8 pines, 2

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 1500 unidades)*

862,50 €

(exc. IVA)

1.044,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 26 de octubre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
1500 +0,575 €862,50 €

*precio indicativo

Código RS:
240-1818
Nº ref. fabric.:
BUK9K25-40RAX
Fabricante:
Nexperia
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

18.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

LFPAK56D

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

29mΩ

Disipación de potencia máxima Pd

32W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.3nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

El MOSFET de canal N de nivel lógico doble Nexperia en un encapsulado LFPAK56D, utiliza tecnología de silicio de avalancha repetitiva específica de aplicación (ASFET). Este producto se ha diseñado y calificado según AEC-Q101 para usar en aplicaciones de avalancha repetitiva.

Calificación para automoción completa conforme a AEC-Q101 a 175 °C.

Avalancha repetitiva con valor nominal de 30 °C de subida TJ

Probado para 1 millones de eventos de avalancha

Tecnología de encapsulado de pinza de cobre LFPAK

Alta solidez y fiabilidad

Cables de ala de gaviota para alta capacidad de fabricación y AOI

Enlaces relacionados