MOSFET Nexperia, Tipo N-Canal BUK9K13-60RAX, VDSS 60 V, ID 40 A, LFPAK56D de 8 pines, 2
- Código RS:
- 240-1817
- Nº ref. fabric.:
- BUK9K13-60RAX
- Fabricante:
- Nexperia
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,288 € | 11,44 € |
| 50 - 95 | 2,224 € | 11,12 € |
| 100 - 245 | 2,164 € | 10,82 € |
| 250 - 495 | 2,112 € | 10,56 € |
| 500 + | 2,06 € | 10,30 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 240-1817
- Nº ref. fabric.:
- BUK9K13-60RAX
- Fabricante:
- Nexperia
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | LFPAK56D | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 28.3mΩ | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 22.4nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 64W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 15V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado LFPAK56D | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 28.3mΩ | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22.4nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 64W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 15V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de canal N de nivel lógico doble Nexperia en un encapsulado LFPAK56D, utiliza tecnología de silicio de avalancha repetitiva específica de aplicación (ASFET). Este producto se ha diseñado y calificado según AEC-Q101 para usar en aplicaciones de avalancha repetitiva.
Calificación para automoción completa conforme a AEC-Q101 a 175 °C.
Avalancha repetitiva con valor nominal de 30 °C de subida TJ
Probado para 1 millones de eventos de avalancha
Tecnología de encapsulado de pinza de cobre LFPAK
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