MOSFET Nexperia, Tipo N-Canal, VDSS 40 V, ID 42 A, LFPAK56D de 8 pines, 2

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Código RS:
240-1820
Nº ref. fabric.:
BUK9V13-40HX
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

42A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

LFPAK56D

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

13.6mΩ

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

13.9nC

Disipación de potencia máxima Pd

46W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

El MOSFET de canal N de nivel lógico doble Nexperia en un encapsulado LFPAK56D (configuración de medio puente) usando tecnología Trench 9 MOS. Este producto se ha diseñado y calificado según AEC-Q101.

Encapsulado LFPAK56D con la configuración de medio puente activa

Complejidad de diseño de PCB reducida

Contracción de PCB gracias a la reducción del tamaño de los componentes para accionamiento de motor de 3 fases

Nivel de sistema RTH(j-amb) mejorado gracias al diseño de encapsulado optimizado

Inductancia parásita inferior para admitir mayor eficiencia

Tamaño compatible con encapsulado doble LFPAK56D

Tecnología de silicio Trench 9 de grado AEC-Q101 de Advanced

Bajas pérdidas de potencia, alta densidad de potencia

Rendimiento de avalancha superior

Índice de avalancha repetitiva

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