MOSFET Nexperia PSMN4R2-40VSHX, VDSS 40 V, ID 98 A, LFPAK56D de 8 pines, 2elementos

MOSFET de canal N de nivel estándar doble de Nexperia en un encapsulado LFPAK56D (configuración de medio puente) con tecnología Next power S3. Se realiza una conexión interna entre la fuente (S1) del FET de lado alto al drenaje (D2) del FET de lado bajo, de modo que el dispositivo es idóneo para usar como un interruptor de medio puente en aplicaciones de accionamiento de motor con espacio limitado y PWM de alto rendimiento.

Reducción de la complejidad del diseño de PCB
Retracción del módulo gracias a la reducción de componentes
Inductancia parasitaria inferior para una mayor eficiencia
Baja pérdida de potencia, alta densidad de potencia
Rendimiento de avalancha superior
Especificado para avalancha repetitiva
El encapsulado de pinza de cobre LFPAK proporciona alta robustez y fiabilidad

Herramientas eléctricas portátiles, aparatos portátiles y aplicaciones con espacio limitado
Accionamiento por motor CC sin escobillas o con escobillas CC
Para sistemas CC a CC
Iluminación LED