MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN3R7-100BSEJ, VDSS 100 V, ID 120 A, Mejora, LFPAK de 4 pines

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Código RS:
219-348
Nº ref. fabric.:
PSMN3R7-100BSEJ
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

120A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

PSM

Encapsulado

LFPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.95mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

405W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

176nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

25°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH
El MOSFET de canal N de Nexperia dispone de un RDS(on) muy bajo y un rendimiento de área de funcionamiento seguro mejorado. Está optimizado para controladores de intercambio en caliente, capaz de resistir corrientes de entrada altas y minimizar las pérdidas de I2R para mejorar la eficiencia. Las aplicaciones incluyen cambio en caliente, conmutación de carga, arranque suave y fusible electrónico.

SOA para un funcionamiento de modo lineal superior

Encapsulado LLFPAK88 para aplicaciones que requieren el máximo rendimiento

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