MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN3R2-40YLDX, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, LFPAK de 5 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 tira de 1 unidad)*

0,70 €

(exc. IVA)

0,85 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 3000 unidad(es) más para enviar a partir del 05 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Tira(s)
Por Tira
1 - 90,70 €
10 - 990,64 €
100 - 4990,58 €
500 - 9990,54 €
1000 +0,48 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
219-408
Nº ref. fabric.:
PSMN3R2-40YLDX
Fabricante:
Nexperia
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

120A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

LFPAK

Serie

PSM

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

115W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

26nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

10 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH
El MOSFET de canal N de Nexperia utiliza la tecnología de superunión TrenchMOS avanzada. El encapsulado está calificado para 175 °C. Está diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia de alto rendimiento. Las aplicaciones clave incluyen automatización, robótica, convertidores dc a dc, control de motor dc sin escobillas, conmutación de carga industrial, eFuse y gestión de inducción.

Baja inductancia y resistencia parásita

Encapsulado Power SO8 con pinza pegada y matriz de fijación de soldadura de alta fiabilidad

Capaz de soldadura por onda

Conmutación súper rápida con recuperación suave

Enlaces relacionados