MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN1R4-40YLDX, VDSS 40 V, ID 240 A, Mejora, LFPAK de 5 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 1500 unidades)*

2.644,50 €

(exc. IVA)

3.199,50 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponibilidad de stock no accesible
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
1500 +1,763 €2.644,50 €

*precio indicativo

Código RS:
219-473
Nº ref. fabric.:
PSMN1R4-40YLDX
Fabricante:
Nexperia
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

240A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

NextPower-S3 technology

Encapsulado

LFPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

238W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

45nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH
El MOSFET de canal N de Nexperia dispone de tecnología de superunión TrenchMOS avanzada. Este producto se ha diseñado y calificado para aplicaciones de conmutación de potencia de alto rendimiento. Está diseñado para aplicaciones de alto rendimiento, incluidas rectificación síncrona, convertidores dc a dc, fuentes de alimentación de servidor, control de motor dc sin escobillas y protección de batería. Ofrece una alta eficiencia y un rendimiento fiable en una amplia gama de tareas de gestión de potencia.

Baja inductancia y resistencia parásita

Encapsulado Power SO8 con pinza pegada y matriz de fijación de soldadura de alta fiabilidad

Capaz de soldadura por onda

Conmutación súper rápida con recuperación suave

Enlaces relacionados