MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN2R3-80SSFJ, VDSS 80 V, ID 240 A, Mejora, LFPAK de 5 pines

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Código RS:
219-458
Nº ref. fabric.:
PSMN2R3-80SSFJ
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

240A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

PSM

Encapsulado

LFPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

341W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

61nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS, Ha-free

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MY
El MOSFET de canal N Nexperia está cualificado para funcionar hasta 175°C y es ideal para aplicaciones industriales y de consumo. Entre sus principales aplicaciones se encuentran la rectificación síncrona en convertidores CA-CC y CC-CC, la conmutación del lado primario, el control de motores BLDC, los circuitos de puente completo y medio puente y la protección de baterías.

Fuerte clasificación energética de avalancha

Clasificado para avalanchas y probado al 100%

No contiene Ha y cumple la directiva RoHS

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