MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN2R3-100SSEJ, VDSS 100 V, ID 255 A, Mejora, LFPAK de 5 pines

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Código RS:
219-455
Nº ref. fabric.:
PSMN2R3-100SSEJ
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

255A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

PSM

Encapsulado

LFPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.28mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

161nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

10 V

Disipación de potencia máxima Pd

341W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MY
El MOSFET de canal N Nexperia se caracteriza por un RDS(on) muy bajo y un rendimiento mejorado de la zona de funcionamiento seguro en un encapsulado LFPAK88 con clip de cobre de alta fiabilidad. Está optimizado para controladores de intercambio en caliente, capaz de soportar altas corrientes de irrupción y minimizar las pérdidas de I²R para mejorar la eficiencia. Las aplicaciones incluyen intercambio en caliente, conmutación de carga, arranque suave y fusible electrónico.

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Envase LFPAK88 para aplicaciones que exigen el máximo rendimiento

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