MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN2R9-100SSEJ, VDSS 100 V, ID 210 A, Mejora, LFPAK de 5 pines

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Código RS:
219-452
Nº ref. fabric.:
PSMN2R9-100SSEJ
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

210A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

LFPAK

Serie

PSM

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.9mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

125nC

Disipación de potencia máxima Pd

341W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MY
El MOSFET de canal N Nexperia se caracteriza por un RDS(on) muy bajo y un rendimiento mejorado de la zona de funcionamiento seguro en un encapsulado LFPAK88 con clip de cobre de alta fiabilidad. Está optimizado para controladores de intercambio en caliente, capaz de soportar altas corrientes de irrupción y minimizar las pérdidas de I²R para mejorar la eficiencia. Las aplicaciones incluyen intercambio en caliente, conmutación de carga, arranque suave y fusible electrónico.

SOA para un funcionamiento superior en modo lineal

Envase LFPAK88 para aplicaciones que exigen el máximo rendimiento

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