MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN1R5-40YSDX, VDSS 40 V, ID 240 A, Mejora, LFPAK de 5 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
219-432
Nº ref. fabric.:
PSMN1R5-40YSDX
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

240A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

PSM

Encapsulado

LFPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

46nC

Disipación de potencia máxima Pd

238W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH
El MOSFET de canal N de Nexperia utiliza la tecnología de superunión TrenchMOS avanzada, optimizada para conmutación de potencia de alto rendimiento. Es ideal para aplicaciones como rectificación síncrona, convertidores dc a dc, fuentes de alimentación de servidor, control de motor dc sin escobillas, protección de batería y gestión de inducción.

Valor nominal de avalancha, 100 % probado

Nivel de SOA fuerte

Los cables expuestos se pueden soldar por onda

Baja inductancia y resistencia parásita

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