MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN1R5-30YLC,115, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, LFPAK de 4 pines
- Código RS:
- 816-6969
- Nº ref. fabric.:
- PSMN1R5-30YLC,115
- Fabricante:
- Nexperia
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*
5,38 €
(exc. IVA)
6,51 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 15 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
- Disponible(s) 945 unidad(es) más para enviar a partir del 12 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 1,076 € | 5,38 € |
| 10 - 20 | 1,03 € | 5,15 € |
| 25 - 45 | 0,992 € | 4,96 € |
| 50 - 95 | 0,962 € | 4,81 € |
| 100 + | 0,94 € | 4,70 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 816-6969
- Nº ref. fabric.:
- PSMN1R5-30YLC,115
- Fabricante:
- Nexperia
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | LFPAK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 65nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 179W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5mm | |
| Anchura | 4.1 mm | |
| Altura | 1.05mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado LFPAK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 65nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 179W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5mm | ||
Anchura 4.1 mm | ||
Altura 1.05mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N, hasta 30V
Transistores MOSFET, NXP Semiconductors
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, LFPAK de 4 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, LFPAK de 5 pines
- MOSFET VDSS 25 V Mejora, LFPAK de 5 pines
- MOSFET115 ID 44 A SOT-669 de 4 pines
- MOSFET115 ID 37 A SOT-669 de 4 pines
- MOSFET115 ID 100 A SOT-669 de 4 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, LFPAK de 5 pines
- MOSFET115 ID 67 A LFPAK de 5 pines
