Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, LFPAK de 4 pines

Código RS:: 124-2409
Nº ref. fabric.:: PSMN1R5-30YLC,115
Fabricante:: Nexperia

MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, LFPAK de 4 pines

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Código RS:: 124-2409
Nº ref. fabric.:: PSMN1R5-30YLC,115
Fabricante:: Nexperia

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Nexperia
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	100A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Encapsulado	LFPAK
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	2mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	179W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	65nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	5mm
	Anchura	4.1 mm
	Altura	1.05mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Nexperia
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 100A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Encapsulado LFPAK
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 179W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 65nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 5mm
	Anchura 4.1 mm
	Altura 1.05mm
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: PH

MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, LFPAK de 4 pines

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MOSFET de canal N, hasta 30V

Transistores MOSFET, NXP Semiconductors

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