MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 40 V, ID 25 A, Mejora, LFPAK de 5 pines

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Código RS:
153-2815
Nº ref. fabric.:
BUK9Y29-40E,115
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

25A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

LFPAK

Serie

BUK9Y2940E

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

58.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

15 V

Disipación de potencia máxima Pd

37W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.1 mm

Longitud

5mm

Altura

1.05mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de nivel lógico de canal N de 40 V, 29 mΩ en LFPAK56, MOFSET de canal N de nivel lógico en un encapsulado LFPAK56 (Power SO8) usando tecnología TrenchMOS. Este producto se ha diseñado y cualificado conforme a AEC Q101 para usar en aplicaciones de automoción de alto rendimiento.

Compatible con Q101

Índice de avalancha repetitiva

Adecuado para entornos térmicos exigentes con un índice hasta 175 °C

Puerta de nivel lógico real con calificación VGS(th) de más de 0,5 V a 175 °C

Sistemas de automoción de 12 V

Control de solenoides, motores y lámparas

Control de transmisión

Conmutación de potencia de ultra alto rendimiento

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