MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 60 V, ID 16.7 A, Mejora, LFPAK de 5 pines
- Código RS:
- 170-4900
- Nº ref. fabric.:
- BUK9Y59-60E,115
- Fabricante:
- Nexperia
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- 170-4900
- Nº ref. fabric.:
- BUK9Y59-60E,115
- Fabricante:
- Nexperia
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 16.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | LFPAK | |
| Serie | BUK9Y59 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 133mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.1nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 10 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 37W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1.05mm | |
| Anchura | 4.1 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 16.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado LFPAK | ||
Serie BUK9Y59 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 133mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.1nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 10 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 37W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1.05mm | ||
Anchura 4.1 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- PH
Desde el accionamiento de una simple lámpara a las sofisticadas necesidades de control de potencia en aplicaciones de motor, carrocería o chasis, los semiconductores de potencia Nexperia dan respuesta a muchos problemas en los sistemas de automoción.
Adecuado para los entornos térmicos más exigentes gracias la temperatura nominal de 175 °C Aplicaciones de MOSFET de enfoque Gestión de motores de servodirección eléctrica Generador de motor de arranque integrado Control de transmisión Iluminación de automoción Frenos (ABS) Control de climatización
MOSFET de canal N de nivel de lógica en un encapsulado LFPAK56 (potencia SO8) usando tecnología TrenchMOS. Este producto se ha diseñado para usar en aplicaciones de automoción de altas prestaciones.
Índice de avalancha repetitiva
Adecuado para entornos térmicos exigentes con un índice hasta 175 °C
Puerta de nivel lógico real con calificación VGS(th) de más de 0,5 V a 175 °C
Sistemas de automoción de 12 V
Control de solenoides, motores y lámparas
Control de transmisión
Conmutación de potencia de ultra alto rendimiento
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