MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 60 V, ID 76 A, Mejora, LFPAK de 5 pines

Código RS:: 151-3378
Nº ref. fabric.:: PSMN8R5-60YS,115
Fabricante:: Nexperia

MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 60 V, ID 76 A, Mejora, LFPAK de 5 pines

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Código RS:: 151-3378
Nº ref. fabric.:: PSMN8R5-60YS,115
Fabricante:: Nexperia

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Nexperia
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	76A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Encapsulado	LFPAK
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	5
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	18.4mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	106W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	39nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Altura	1.05mm
	Longitud	5mm
	Anchura	4.1 mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Nexperia
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 76A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Encapsulado LFPAK
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 5
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 18.4mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 106W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 39nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Altura 1.05mm
	Longitud 5mm
	Anchura 4.1 mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

MOSFET de canal N de 40 V - 60 V, MOSFET de nivel de lógica y estándar. Pruebe nuestros MOSFET robustos y fáciles de usar de la gama 40 V a 60 V, parte de nuestra extensa gama de dispositivos MOSFET. Son perfectos para aplicaciones de espacio y potencia críticos y proporcionan un excelente rendimiento de conmutación y área de funcionamiento seguro (SOA) líder de su clase

MOFSET de nivel estándar LFPAK de canal N 60 V, 8 mΩ, MOSFET de canal N de nivel estándar en encapsulado LFPAK con calificación para 175 °C. Este producto está diseñado y cualificado para usar en una amplia gama de equipos industriales, de comunicaciones y domésticos.

TrenchMOS avanzado proporciona RDSon bajo y carga de puerta baja

Ganancias de alta eficiencia en convertidores de potencia de conmutación

Características mecánicas y térmicas mejoradas

LFPAK proporciona máxima densidad de potencia en un encapsulado Power SO8

Convertidores dc a dc

Protección de batería de ión litio

Conmutación de carga

Control de motor

Fuentes de alimentación de servidor

MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 60 V, ID 76 A, Mejora, LFPAK de 5 pines

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