MOSFET, N-Canal Nexperia BUK9Y7R6-40E,115, VDSS 40 V, ID 79 A, Mejora, LFPAK de 5 pines

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Código RS:
153-2862
Nº ref. fabric.:
BUK9Y7R6-40E,115
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

79A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

BUK9Y7R640E

Encapsulado

LFPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

15.28mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

15V

Disipación de potencia máxima Pd

95W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

4.1mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.05mm

Longitud

5mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de nivel lógico de canal N de 40 V, 7,6 mΩ en LFPAK56, MOFSET de canal N de nivel lógico en un encapsulado LFPAK56 (Power SO8) usando tecnología TrenchMOS. Este producto se ha diseñado y cualificado conforme a AEC Q101 para usar en aplicaciones de automoción de alto rendimiento.

Compatible con Q101

Índice de avalancha repetitiva

Adecuado para entornos térmicos exigentes con un índice hasta 175 °C

Puerta de nivel lógico real con calificación VGS(th) de más de 0,5 V a 175 °C

Sistemas de automoción de 12 V

Control de solenoides, motores y lámparas

Control de transmisión

Conmutación de potencia de ultra alto rendimiento

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