MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN1R4-30YLDX, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, LFPAK de 5 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 1500 unidades)*

1.188,00 €

(exc. IVA)

1.437,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 1500 unidad(es) más para enviar a partir del 05 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
1500 +0,792 €1.188,00 €

*precio indicativo

Código RS:
219-401
Nº ref. fabric.:
PSMN1R4-30YLDX
Fabricante:
Nexperia
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

NextPowerS3 Technology

Encapsulado

LFPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.42mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

27.6nC

Disipación de potencia máxima Pd

166W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH
El MOSFET de canal N de Nexperia dispone de la cartera NextPowerS3 que utiliza la exclusiva tecnología SchottkyPlus de NXP que proporciona una alta eficiencia y un bajo rendimiento de pico normalmente asociado con MOSFETS con un diodo Schottky o similar a Schottky integrado, pero sin una corriente de fuga alta problemática. NextPowerS3 es especialmente adecuado para aplicaciones de alta eficiencia a altas frecuencias de conmutación.

Baja inductancia y resistencia parásita

Encapsulado Power SO8 con pinza pegada y matriz de fijación de soldadura de alta fiabilidad

Capaz de soldadura por onda

Conmutación súper rápida con recuperación suave

Enlaces relacionados