MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN075-100MSEX, VDSS 100 V, ID 18 A, Mejora, LFPAK de 5 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 1500 unidades)*

810,00 €

(exc. IVA)

975,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 26 de octubre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
1500 +0,54 €810,00 €

*precio indicativo

Código RS:
219-413
Nº ref. fabric.:
PSMN075-100MSEX
Fabricante:
Nexperia
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

18A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

LFPAK

Serie

PSM

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

71mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

16.4nC

Disipación de potencia máxima Pd

65W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

IEEE802.3at, RoHS

COO (País de Origen):
PH
El MOSFET de canal N de Nexperia está diseñado para admitir la próxima generación de sistemas Power-over-Ethernet, capaces de proporcionar hasta 100 W a cada dispositivo alimentado. Satisface las mayores demandas de aplicaciones como pantallas LCD de pantalla grande, hotspots 3G/4G/Wi-Fi y cámaras de CCTV de zoom inclinable. Con características avanzadas que abordan procedimientos de arranque suave, resiliencia de cortocircuito, gestión térmica y alta densidad de potencia, garantiza un rendimiento fiable y eficiente para equipos de fuente de alimentación en entornos exigentes.

Zona de funcionamiento segura con polarización hacia delante mejorada para un funcionamiento superior en modo lineal

Rdson bajo para bajas pérdidas de conducción

Encapsulado LFPAK33 ultrafiable

IDSS muy bajo

Enlaces relacionados