MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia NSF030120D7A0J, VDSS 1200 V, ID 67 A, Mejora, TO-263 de 7 pines

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Código RS:
219-443
Nº ref. fabric.:
NSF030120D7A0J
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

67A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

NSF030120D7A0

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

30mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

306W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

113nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia Nexperia SiC se presenta en un compacto encapsulado de plástico TO-263 de 7 patillas para montaje en superficie en placas de circuito impreso. Su excelente estabilidad térmica RDS(on) y su rápida velocidad de conmutación lo hacen ideal para aplicaciones industriales de alta potencia y alto voltaje, como infraestructuras de carga de vehículos eléctricos, inversores fotovoltaicos y accionamientos de motores.

Rápida recuperación inversa

Rápida velocidad de conmutación

Pérdidas por desconexión independientes de la temperatura

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

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