MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia NSF060120D7A0J, VDSS 1200 V, ID 38.27 A, Mejora, TO-263 de 7 pines

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Código RS:
219-446
Nº ref. fabric.:
NSF060120D7A0J
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

38.27A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

TO-263

Serie

NSF060120D7A0

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

60mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

57nC

Disipación de potencia máxima Pd

167W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia Nexperia SiC se presenta en un compacto encapsulado de plástico TO-263 de 7 patillas para montaje en superficie en placas de circuito impreso. Su excelente estabilidad térmica RDS(on) y su rápida velocidad de conmutación lo hacen ideal para aplicaciones industriales de alta potencia y alto voltaje, como infraestructuras de carga de vehículos eléctricos, inversores fotovoltaicos y accionamientos de motores.

Rápida recuperación inversa

Rápida velocidad de conmutación

Pérdidas por desconexión independientes de la temperatura

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

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