MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 1200 V, ID 30 A, Mejora, TO-263 de 7 pines

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Código RS:
205-2449
Nº ref. fabric.:
NTBG080N120SC1
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

NTB

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

110mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

56nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

179W

Tensión directa Vf

3.9V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

15.1mm

Certificaciones y estándares

This Device is Pb-Free and is RoHS

Anchura

9.7 mm

Altura

4.3mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 40 mohm, 1.200 V, M1, D2PAK−7L MOSFET de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 40 mohm, 1.200 V, M1, D2PAK-7L


El MOSFET de canal N de carburo de silicio ON Semiconductor (SiC) utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y mayor fiabilidad en comparación con el silicio. Además, la baja resistencia DE ENCENDIDO y el tamaño de chip compacto garantizan una baja capacitancia y carga de puerta. Por consiguiente, las ventajas del sistema incluyen la mayor eficiencia, la frecuencia de funcionamiento faster, la mayor densidad de potencia, la reducción de EMI y el menor tamaño del sistema.

Baja resistencia de conexión tipo 80mohm

Temperatura de conexión alta

Carga de puerta ultrabaja

Baja capacitancia eficaz de salida

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