MOSFET onsemi, Tipo N-Canal NVBG020N120SC1, VDSS 1200 V, ID 98 A, TO-263, Mejora de 7 pines

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Código RS:
195-8969
Nº ref. fabric.:
NVBG020N120SC1
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

98A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.028Ω

Modo de canal

Mejora

MOSFET de carburo de silicio (SiC), canal N - EliteSiC, 20 mohm, 1.200 V, M1, D2PAK−7L


El MOSFET de carburo de silicio (SiC) de canal N de On Semiconductor utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el silicio. Además, la baja resistencia de encendido y el tamaño compacto del chip garantizan una baja capacidad y carga de puerta. Incluye la mayor eficiencia, frecuencia de funcionamiento más rápida, mayor densidad de potencia, menor EMI y menor tamaño del sistema.

Carga de puerta ultrabaja (típ. QG(tot) = 220 nC)

Capacitancia de salida efectiva baja

100 % a prueba de avalancha

Calificación conforme a AEC-Q101

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