MOSFET onsemi, N-Canal NVBG020N120SC1, VDSS 1.2 kV, ID 98 A, TO-263, Mejora de 7 pines
- Código RS:
- 195-8969
- Nº ref. fabric.:
- NVBG020N120SC1
- Fabricante:
- onsemi
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 195-8969
- Nº ref. fabric.:
- NVBG020N120SC1
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 1.2 kV | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 98 A | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 0.028 Ω | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 1.2 kV | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 98 A | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 0.028 Ω | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N‐Channel - EliteSiC, 20 mohm, 1200V, M1, D2PAK−7L
The On Semiconductor single N-channel silicon carbide (SiC) MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. In addition, the low ON resistance and Compact chip size ensure low capacitance and gate charge. It include highest efficiency, Faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.
Ultra low gate charge (typ. QG(tot) = 220nC)
Low effective output capacitance
100% avalanche tested
Qualified according to AEC−Q101
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