MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTBG025N065SC1, VDSS 1200 V, ID 58 A, Mejora, TO-263 de 7 pines

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Código RS:
254-7663
Nº ref. fabric.:
NTBG025N065SC1
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

58A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

TO-263

Serie

NTB

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

22mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

164nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

117W

Tensión directa Vf

4.5V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L MOSFET de carburo de silicio (SiC) - 19 mohm, 650 V, M2, D2PAK−7L


La serie NTB de ON Semiconductor de un mosfet de carburo de silicio utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el silicio. Además, con baja resistencia de conexión y tamaño de chip compacto. Garantiza una baja capacitancia y carga de puerta. En consecuencia, las ventajas del sistema incluyen la mayor eficiencia, frecuencia de funcionamiento más rápida, mayor densidad de potencia, menor EMI y menor tamaño del sistema.

Se utiliza en telecomunicaciones, carga de puerta ultrabaja, alta velocidad de conmutación y baja capacitancia

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