MOSFET, N-Canal onsemi NTBG025N065SC1, VDSS 1.2 kV, ID 58 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- Código RS:
- 254-7663
- Nº ref. fabric.:
- NTBG025N065SC1
- Fabricante:
- onsemi
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- 254-7663
- Nº ref. fabric.:
- NTBG025N065SC1
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- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 58A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1.2kV | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | NTB | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 22mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 117W | |
| Tensión directa Vf | 4.5V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 164nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 58A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1.2kV | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie NTB | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 22mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 117W | ||
Tensión directa Vf 4.5V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 164nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L MOSFET de carburo de silicio (SiC) - 19 mohm, 650 V, M2, D2PAK−7L
La serie NTB de ON Semiconductor de un mosfet de carburo de silicio utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el silicio. Además, con baja resistencia de conexión y tamaño de chip compacto. Garantiza una baja capacitancia y carga de puerta. En consecuencia, las ventajas del sistema incluyen la mayor eficiencia, frecuencia de funcionamiento más rápida, mayor densidad de potencia, menor EMI y menor tamaño del sistema.
Se utiliza en telecomunicaciones, carga de puerta ultrabaja, alta velocidad de conmutación y baja capacitancia
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