MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTBG022N120M3S, VDSS 1200 V, ID 58 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- Código RS:
- 254-7661
- Nº ref. fabric.:
- NTBG022N120M3S
- Fabricante:
- onsemi
Subtotal (1 unidad)*
13,86 €
(exc. IVA)
16,77 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- 783 Envío desde el 26 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 + | 13,86 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 254-7661
- Nº ref. fabric.:
- NTBG022N120M3S
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 58A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | NTB | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 22mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 148nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 117W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22 V | |
| Tensión directa Vf | 4.5V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 58A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie NTB | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 22mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 148nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 117W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22 V | ||
Tensión directa Vf 4.5V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 22 mohm, 1.200 V, M3S, D2PAK-7L
La serie NTB de MOSFET planares sic de ON Semiconductor está optimizada para aplicaciones de conmutación rápida con una tecnología planar que funciona de manera fiable con accionamiento de tensión de puerta negativa y apagado de picos en la puerta. Esta familia tiene un rendimiento óptimo cuando se acciona con accionamiento de puerta de 18 V, pero también funciona bien con accionamiento de puerta de 15 V.
Tensión de accionamiento de puerta de densidad de potencia mejorada probada al 100 % por avalancha de 15 V a 18 V
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, TO-247 de 4 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, DFN-5 de 5 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, HPSOF-8L de 7 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, TO-247 de 7 pines