MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 1200 V, ID 58 A, Mejora, TO-263 de 7 pines

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Código RS:
254-7660
Nº ref. fabric.:
NTBG022N120M3S
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

58A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

TO-263

Serie

NTB

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

22mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

148nC

Disipación de potencia máxima Pd

117W

Tensión directa Vf

4.5V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 22 mohm, 1.200 V, M3S, D2PAK-7L


La serie NTB de MOSFET planares sic de ON Semiconductor está optimizada para aplicaciones de conmutación rápida con una tecnología planar que funciona de manera fiable con accionamiento de tensión de puerta negativa y apagado de picos en la puerta. Esta familia tiene un rendimiento óptimo cuando se acciona con accionamiento de puerta de 18 V, pero también funciona bien con accionamiento de puerta de 15 V.

Tensión de accionamiento de puerta de densidad de potencia mejorada probada al 100 % por avalancha de 15 V a 18 V

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