Transistor MOSFET onsemi NVBG040N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 60 A, D2PAK (TO-263) de 7 pines

Código RS:: 202-5731
Nº ref. fabric.:: NVBG040N120SC1
Fabricante:: onsemi

Transistor MOSFET onsemi NVBG040N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 60 A, D2PAK (TO-263) de 7 pines

682 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 2)

33,27 €

(exc. IVA)

40,26 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
2 - 8	33,27 €	66,54 €
10 - 24	32,365 €	64,73 €
26 - 48	31,515 €	63,03 €
50 - 98	30,71 €	61,42 €
100 +	29,94 €	59,88 €

*precio indicativo

Código RS:: 202-5731
Nº ref. fabric.:: NVBG040N120SC1
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

Datasheet - NVBG040N120SC1

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de carburo de silicio (SiC), canal N - EliteSiC, 40 mohm, 1.200 V, M1, D2PAK−7L MOSFET de carburo de silicio, canal N, 1.200 V, 40 mohm, D2PAK-7L

El MOSFET ON Semiconductor de potencia de carburo de silicio funciona con 60 amperios y 1.200 voltios. Se puede utilizar en aplicaciones de cargador de placa de automoción, convertidor dc o dc.

Certificación AEC Q101
Capacidad de proceso de aprobación de piezas de producción
100 % a prueba de avalancha
Baja capacitancia eficaz de salida

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	1.200 V
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Serie	NVB
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0,056 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4.3V
Material del transistor	SiC
Número de Elementos por Chip	1