MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN1R9-80SSEJ, VDSS 80 V, ID 286 A, Mejora, LFPAK de 5 pines
- Código RS:
- 219-454
- Nº ref. fabric.:
- PSMN1R9-80SSEJ
- Fabricante:
- Nexperia
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 tira de 1 unidad)*
6,85 €
(exc. IVA)
8,29 €
(inc.IVA)
Añade 13 tiras para conseguir entrega gratuita
Agotado temporalmente
- Envío desde el 31 de agosto de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Tira(s) | Por Tira |
|---|---|
| 1 - 9 | 6,85 € |
| 10 - 99 | 6,16 € |
| 100 + | 5,69 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 219-454
- Nº ref. fabric.:
- PSMN1R9-80SSEJ
- Fabricante:
- Nexperia
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 286A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | LFPAK | |
| Serie | PSM | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 10 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 77nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 340W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 286A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado LFPAK | ||
Serie PSM | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 10 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 77nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 340W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
El MOSFET de canal N Nexperia se caracteriza por un RDS(on) muy bajo y un rendimiento mejorado de la zona de funcionamiento seguro en un encapsulado LFPAK88 con clip de cobre de alta fiabilidad. Está optimizado para controladores de intercambio en caliente, capaz de soportar altas corrientes de irrupción y minimizar las pérdidas de I²R para mejorar la eficiencia. Las aplicaciones incluyen intercambio en caliente, conmutación de carga, arranque suave y fusible electrónico.
SOA para un funcionamiento superior en modo lineal
Envase LFPAK88 para aplicaciones que exigen el máximo rendimiento
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, LFPAK de 5 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, LFPAK de 5 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, LFPAK de 4 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, LFPAK de 4 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, LFPAK de 4 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, LFPAK de 4 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, LFPAK de 5 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, LFPAK de 5 pines