MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN1R9-40YSBX, VDSS 40 V, ID 200 A, Mejora, LFPAK de 5 pines

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Código RS:
219-499
Nº ref. fabric.:
PSMN1R9-40YSBX
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

200A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

LFPAK

Serie

PSM

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.9mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

56nC

Disipación de potencia máxima Pd

194W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

10 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH
El MOSFET de canal N de Nexperia utiliza la tecnología de superunión TrenchMOS avanzada. Está optimizado para mejorar el rendimiento EMC en hasta 6 dB. Está diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia de alto rendimiento. Las aplicaciones clave incluyen automatización, robótica, convertidores dc a dc, control de motor dc sin escobillas, aislamiento de baterías, conmutación de carga industrial, eFuse y gestión de inducción.

Baja inductancia y resistencia parásita

Encapsulado Power SO8 con pinza pegada y matriz de fijación de soldadura de alta fiabilidad

Capaz de soldadura por onda

Conmutación súper rápida con recuperación suave

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