MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN2R6-100SSFJ, VDSS 100 V, ID 200 A, Mejora, LFPAK de 5 pines

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Código RS:
219-459
Nº ref. fabric.:
PSMN2R6-100SSFJ
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

200A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

LFPAK

Serie

PSM

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

63nC

Disipación de potencia máxima Pd

341W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

10 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

8 mm

Longitud

8mm

Altura

1.6mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MY
El MOSFET de canal N Nexperia está cualificado para funcionar hasta 175°C y es ideal para aplicaciones industriales y de consumo. Entre sus principales aplicaciones se encuentran la rectificación síncrona en convertidores CA-CC y CC-CC, la conmutación del lado primario, el control de motores BLDC, los circuitos de puente completo y medio puente y la protección de baterías.

Fuerte clasificación energética de avalancha

Clasificado para avalanchas y probado al 100%

No contiene Ha y cumple la directiva RoHS

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