MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN1R2-55SLHAX, VDSS 55 V, ID 330 A, Mejora, LFPAK de 5 pines

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Código RS:
219-464
Nº ref. fabric.:
PSMN1R2-55SLHAX
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

330A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Serie

MOSFETs

Encapsulado

LFPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.03mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

180nC

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

8mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

8 mm

Altura

1.6mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MY
El MOSFET de canal N Nexperia de la gama NextPowerS3, que utiliza la exclusiva tecnología SchottkyPlus de NXP, ofrece un rendimiento de alta eficiencia y bajo pico normalmente asociado a los MOSFETS con un diodo Schottky o similar a Schottky integrado, pero sin la problemática corriente de fuga elevada. NextPowerS3 está especialmente indicado para aplicaciones de alta eficiencia a altas frecuencias de conmutación.

Clasificado para avalanchas y probado al 100

Conmutación ultrarrápida con recuperación de diodo de cuerpo blando para un bajo nivel de picos y zumbidos

VGS(th) estrecho para facilitar la conexión en paralelo y mejorar el reparto de corriente

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