MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMNR70-40SSHJ, VDSS 40 V, ID 425 A, Mejora, LFPAK de 5 pines

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Código RS:
219-468
Nº ref. fabric.:
PSMNR70-40SSHJ
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

425A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

PSM

Encapsulado

LFPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

144nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.6mm

Longitud

8mm

Anchura

8 mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de canal N Nexperia de la gama NextPowerS3, que utiliza la exclusiva tecnología SchottkyPlus de NXP, ofrece un rendimiento de alta eficiencia y bajo pico normalmente asociado a los MOSFETS con un diodo Schottky o similar a Schottky integrado, pero sin la problemática corriente de fuga elevada. NextPowerS3 está especialmente indicado para aplicaciones de alta eficiencia a altas frecuencias de conmutación.

Baja inductancia y resistencia parásitas

Con clasificación de avalancha

Capacidad de soldadura por ola

Conmutación ultrarrápida con recuperación suave

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