MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMNR55-40SSHJ, VDSS 30 V, ID 10.3 A, LFPAK88 de 4 pines
- Código RS:
- 243-4877
- Nº ref. fabric.:
- PSMNR55-40SSHJ
- Fabricante:
- Nexperia
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
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| 50 - 98 | 5,105 € | 10,21 € |
| 100 - 248 | 4,175 € | 8,35 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 243-4877
- Nº ref. fabric.:
- PSMNR55-40SSHJ
- Fabricante:
- Nexperia
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | LFPAK88 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 13.6mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado LFPAK88 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13.6mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de modo de mejora de canal N de Nexperia en encapsulado LFPAK88 con corriente continua de 500 A y accionamiento de puerta de nivel estándar. La familia Next Power S3 con la exclusiva tecnología "Schottky Plus" de Nexperia que proporciona alta eficiencia y bajo rendimiento de pico normalmente relacionado con MOSFET con un diodo Schottky o similar a Schottky integrado, pero sin corriente de fuga alta problemática. Next Power S3 está especialmente indicado para aplicaciones de alta eficiencia con frecuencias de conmutación altas y una conmutación segura y fiable con corriente de carga alta.
Conexión de pinza de cobre y matriz de soldadura para baja inductancia y resistencia del encapsulado, y alta calificación ID (máx.)
Sustitución ideal para D2PAK y tipos de encapsulado sin plomo de 10 x 12 mm
Homologado para 175 °C
Cumple los requisitos UL2595 para flujo y separación
Valor nominal de avalancha, 100 % probado
Baja QG, QGD y QOSS para alta eficiencia, especialmente a frecuencias de conmutación superiores
Conmutación muy rápida con recuperación de diodo de cuerpo suave para que se produzcan pocos picos y anillos, recomendado para diseños de baja EMI
Control de motor CC sin escobillas
Rectificador sincrónico en aplicaciones CA a CC de alta potencia, por ejemplo, fuentes de alimentación de servidor
Protección de batería y sistemas de gestión de batería (BMS)
eFuse e interruptor de carga
Gestión de corriente de irrupción/cambio en caliente
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