MOSFET Nexperia PSMNR55-40SSHJ, VDSS 40 V, ID 500 A, LFPAK88 de 4 pines
- Código RS:
- 243-4876
- Nº ref. fabric.:
- PSMNR55-40SSHJ
- Fabricante:
- Nexperia
1940 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 2000)
3,237 €
(exc. IVA)
3,917 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
---|---|---|
2000 + | 3,237 € | 6.474,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 243-4876
- Nº ref. fabric.:
- PSMNR55-40SSHJ
- Fabricante:
- Nexperia
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MOSFET de modo de mejora de canal N de Nexperia en encapsulado LFPAK88 con corriente continua de 500 A y accionamiento de puerta de nivel estándar. La familia Next Power S3 con la exclusiva tecnología "Schottky Plus" de Nexperia que proporciona alta eficiencia y bajo rendimiento de pico normalmente relacionado con MOSFET con un diodo Schottky o similar a Schottky integrado, pero sin corriente de fuga alta problemática. Next Power S3 está especialmente indicado para aplicaciones de alta eficiencia con frecuencias de conmutación altas y una conmutación segura y fiable con corriente de carga alta.
Conexión de pinza de cobre y matriz de soldadura para baja inductancia y resistencia del encapsulado, y alta calificación ID (máx.)
Sustitución ideal para D2PAK y tipos de encapsulado sin plomo de 10 x 12 mm
Homologado para 175 °C
Cumple los requisitos UL2595 para flujo y separación
Valor nominal de avalancha, 100 % probado
Baja QG, QGD y QOSS para alta eficiencia, especialmente a frecuencias de conmutación superiores
Conmutación muy rápida con recuperación de diodo de cuerpo suave para que se produzcan pocos picos y anillos, recomendado para diseños de baja EMI
Sustitución ideal para D2PAK y tipos de encapsulado sin plomo de 10 x 12 mm
Homologado para 175 °C
Cumple los requisitos UL2595 para flujo y separación
Valor nominal de avalancha, 100 % probado
Baja QG, QGD y QOSS para alta eficiencia, especialmente a frecuencias de conmutación superiores
Conmutación muy rápida con recuperación de diodo de cuerpo suave para que se produzcan pocos picos y anillos, recomendado para diseños de baja EMI
Control de motor CC sin escobillas
Rectificador sincrónico en aplicaciones CA a CC de alta potencia, por ejemplo, fuentes de alimentación de servidor
Protección de batería y sistemas de gestión de batería (BMS)
eFuse e interruptor de carga
Gestión de corriente de irrupción/cambio en caliente
Rectificador sincrónico en aplicaciones CA a CC de alta potencia, por ejemplo, fuentes de alimentación de servidor
Protección de batería y sistemas de gestión de batería (BMS)
eFuse e interruptor de carga
Gestión de corriente de irrupción/cambio en caliente
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 500 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 40 V |
Tipo de Encapsulado | LFPAK88 |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 4 |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Enlaces relacionados
- MOSFET Nexperia PSMNR55-40SSHJ, VDSS 40 V, ID 500 A, LFPAK88 de 4 pines
- MOSFET Nexperia BUK7S0R5-40HJ, VDSS 40 V, ID 500 A, LFPAK88 de 4 pines
- MOSFET Nexperia BUK7S2R0-40HJ, VDSS 40 V, ID 190 A, LFPAK88 de 4 pines
- MOSFET Nexperia BUK9M14-40EX, VDSS 40 V, ID 44 A, LFPAK33 de 4...
- MOSFET Nexperia BUK9M24-40EX, VDSS 40 V, ID 30 A, LFPAK33 de 4...
- MOSFET Nexperia BUK9Y7R6-40E,115, VDSS 40 V, ID 79 A, LFPAK56 de 4...
- MOSFET Nexperia PSMN014-40YS,115, VDSS 40 V, ID 46 A, LFPAK,...
- MOSFET Nexperia BUK9Y29-40E,115, VDSS 40 V, ID 25 A, LFPAK56 de 4...