MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 50 V, ID 0.41 A, Mejora, LFPAK88 de 4 pines
- Código RS:
- 251-7922
- Nº ref. fabric.:
- PSMNR90-50SLHAX
- Fabricante:
- Nexperia
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- 251-7922
- Nº ref. fabric.:
- PSMNR90-50SLHAX
- Fabricante:
- Nexperia
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 0.41A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 50V | |
| Encapsulado | LFPAK88 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 112nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 1.7 mm | |
| Longitud | 8.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 8.1mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 0.41A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 50V | ||
Encapsulado LFPAK88 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 112nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 1.7 mm | ||
Longitud 8.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 8.1mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de modo de mejora de canal N de 410 amperios de corriente continua y accionamiento de puerta de nivel lógico en un encapsulado LFPAK88 de 175 °C. Forma parte de la familia de ASFETs para el aislamiento de baterías y el control de motores de corriente continua y utiliza la tecnología "SchottkyPlus" exclusiva de Nexperia, que ofrece un alto rendimiento y un bajo nivel de picos de corriente, normalmente asociados a los MOSFETs con un diodo Schottky o similar a Schottky integrado, pero sin la problemática corriente de fuga elevada.
Conexión de pinza de cobre y matriz de soldadura para baja inductancia y resistencia del encapsulado, y alta calificación ID (máx.)
Certificado hasta 175 °C
Clasificado para avalancha, probado al 100 %
QG, QGD y QOSS bajos para una alta eficiencia, especialmente a frecuencias de conmutación más altas
Conmutación ultrarrápida con recuperación suave del cuerpo del diodo para un bajo nivel de picos y anillos, recomendado para diseños de baja EMI
VGS(th) estrecho para facilitar la conexión en paralelo y mejorar el reparto de la corriente
Características de modo lineal/área de operación segura muy fuertes para una conmutación segura y fiable en condiciones de alta corriente