MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 50 V, ID 410 A, SOT

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Código RS:
260-4740
Nº ref. fabric.:
PSMNR90-50SLH
Fabricante:
Nexperia
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Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

410A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

50V

Encapsulado

SOT

Tipo de montaje

Superficie

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MY
MOSFET de modo de mejora de canal N de accionamiento de puerta de nivel lógico de Nexperia en encapsulado LFPAK88 de 175 °C. Parte de la familia de ASFET para aislamiento de batería y control de motor dc y el uso de la exclusiva tecnología Schottky Plus de Nexperia proporciona alta eficiencia y bajo rendimiento de pico normalmente asociado con MOSFET con un diodo Schottky o similar a Schottky integrado pero sin una corriente de fuga alta problemática. El ASFET es especialmente adecuado para aplicaciones alimentadas por batería de 36 V que requieren una gran capacidad de avalancha, rendimiento de modo lineal, uso a altas frecuencias de conmutación y también conmutación segura y fiable a alta corriente de carga.

Conmutación súper rápida con recuperación de diodo de cuerpo suave

Modo lineal muy potente

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