MOSFET Nexperia PSMNR90-50SLH, VDSS 50 V, ID 410 A, SOT1235

MOSFET de modo de mejora de canal N de accionamiento de puerta de nivel lógico de Nexperia en encapsulado LFPAK88 de 175 °C. Parte de la familia de ASFET para aislamiento de batería y control de motor dc y el uso de la exclusiva tecnología Schottky Plus de Nexperia proporciona alta eficiencia y bajo rendimiento de pico normalmente asociado con MOSFET con un diodo Schottky o similar a Schottky integrado pero sin una corriente de fuga alta problemática. El ASFET es especialmente adecuado para aplicaciones alimentadas por batería de 36 V que requieren una gran capacidad de avalancha, rendimiento de modo lineal, uso a altas frecuencias de conmutación y también conmutación segura y fiable a alta corriente de carga.

Conmutación súper rápida con recuperación de diodo de cuerpo suave
Modo lineal muy potente