MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMFS3D5N08XT1G, VDSS 80 V, ID 135 A, Mejora, DFN-5 de 5 pines
- Código RS:
- 220-551
- Nº ref. fabric.:
- NTMFS3D5N08XT1G
- Fabricante:
- onsemi
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tira* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,014 € | 10,07 € |
| 50 - 95 | 1,908 € | 9,54 € |
| 100 - 495 | 1,772 € | 8,86 € |
| 500 - 995 | 1,63 € | 8,15 € |
| 1000 + | 1,574 € | 7,87 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 220-551
- Nº ref. fabric.:
- NTMFS3D5N08XT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 135A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | NTMFS3 | |
| Encapsulado | DFN-5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 38nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 119W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 5.15 mm | |
| Altura | 1mm | |
| Longitud | 6.15mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 135A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie NTMFS3 | ||
Encapsulado DFN-5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 38nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 119W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 5.15 mm | ||
Altura 1mm | ||
Longitud 6.15mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
La tecnología MOSFET de potencia de ON Semiconductor con la mejor resistencia de conexión de su clase para aplicaciones de controladores de motor. Una menor resistencia a la conexión y una menor carga en la puerta pueden reducir las pérdidas de conducción. Un buen control de la suavidad para la recuperación inversa del diodo del cuerpo puede reducir el estrés de los picos de tensión sin circuito snubber adicional en la aplicación.
Sin halógenos
Compatible con RoHS
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